NDD36PFD-2AIT TR
| Номер детали производителя | NDD36PFD-2AIT TR |
|---|---|
| производитель | Insignis Technology Corporation |
| Подробное описание | DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2), |
| Упаковка | 60-FBGA (8x13) |
| В наличии | 22946 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 2500 |
|---|
| $1.46 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Insignis Technology Corporation.У нас есть кусочки 22946 Insignis Technology Corporation NDD36PFD-2AIT TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 2.3V ~ 2.7V |
| Технологии | SDRAM - DDR |
| Поставщик Упаковка устройства | 60-FBGA (8x13) |
| Серии | NDD |
| Упаковка / | 60-TFBGA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 256Mbit |
| Организация памяти | 16M x 16 |
| Интерфейс памяти | SSTL_2 |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 200 MHz |
| Время доступа | 700 ps |
Рекомендуемые продукты
-
NDD04N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 3A IPAKonsemi -
NDD36PT6-2AET TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AET
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD05N50Z-1G9
NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OHonsemi -
NDD36PFD-2AIT
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),Insignis Technology Corporation -
NDD05N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAKonsemi -
NDD03N80Z-1G
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAKonsemi -
NDD56PT6-2AET TR
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AAT TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD05N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAKonsemi -
NDD04N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAKonsemi -
NDD56PT6-2AET
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AAT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKonsemi -
NDD56PT6-2AIT TR
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AIT
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AIT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AIT TR
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD03N80ZT4G
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3onsemi -
NDD04N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 3A DPAKonsemi